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         在芯片生产过程中，有一道重要的工序叫做化学机械抛光（英语：Chemical-Mechanical Polishing），茂名旋转靶材，又称化学机械平坦化（英语：Chemical-Mechanical Planarization，缩写 CMP），而当中要用到一种化学添加剂，也就是研磨液。

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     溅射靶材的温度取决于能量的高低，举例：-1气压，功率5KW，偏压0。

靶材表面温度为200度左右，旋转靶材定做，基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw，铬旋转靶材，靶材表面温度会接近400度，基片会达到150度左右，我说的基片距离靶材有10厘米左右~ 此时热量为热辐射传热，离靶材远的地方辐射相对小，温度就低一点~ 茂名旋转靶材,旋转靶材,铬旋转靶材由广州市尤特新材料有限公司提供。

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