发光二**管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（*化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷*化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。


因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。

此外，在一定条件下，它还具有发光特性。

在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。

进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，具有体积小，耗电量低，使用寿命长，环保，坚固耐用，技术*等优点。

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