磁电阻/超导复合式磁传感器原理 磁电阻/超导复合式磁传感器早由D. Robbes等人提出，该类传感器主要由磁电阻传感器和超导磁场放大器构成。

其中超导磁场放大器是一个由超导薄膜构成的闭合环路。

超导环路中有一段宽度狭窄区域。

磁电阻传感器位于超导磁场放大器环路狭窄区域上方并由绝缘层分隔。

对于超导磁场放大器而言，松山湖管委会传感器ic，其磁场放大倍数主要由放大器的尺寸和狭窄区域宽度决定。

增大超导磁场放大器的尺寸，以及减小狭窄区域的宽度，都会显著增加超导磁场放大器的磁场放大倍数。

例如，烟雾传感器ic，理论计算表明，电流霍尔传感器ic a1593，当超导磁场放大器直径达到25 mm，狭窄区域宽度为2 μm时，磁场放大倍数将达到3500 倍，而相应的磁电阻/超导复合式磁传感器的磁场探测能力将有望达到1 f，甚至更低的磁场。

磁电阻/超导复合式磁传感器的性能不仅取决于超导磁场放大器的磁场放大能力，同时也取决于磁电阻传感器的灵敏度、噪声等特性。

目前在磁电阻传感器领域性能为优异、同时有应用价值及潜力的当属GMR和TMR磁传感器。

下面将分别对GMR/超导复合式磁传感器的发展及本课题组在TMR/超导复合式磁传感器制备、测试方面开展的工作进行介绍。

CCD传感器优点二 大面积感光：利用半导体技术已可制造大面积的CCD晶片，与传统底片尺寸相当的35mm的CCD已经开始应用在数码相机中，成为取代专业有利光学相机的关键元件； 光谱响应广：能检测很宽波长范围的光，增加系统使用弹性，扩大系统应用领域； 低影像失真：使用CCD感测器，其影像处理不会有失真的情形，使原物体资讯忠实地反应出来； 体积小、重量轻：CCD具备体积小且重量轻的特性，因此，可容易地装置在人造及各式导航系统上； 低秏电力不受强电磁场影响； 电荷传输效率佳：该效率系数影响信噪比、解像率，若电荷传输效率不佳，影像将变较模糊； 可大批量生产，品质稳定，坚固，不易老化，使用方便及保养容易。

将电阻应变片粘贴在弹性元件特定表面上，当力、扭矩、速度、加速度及流量等物理量作用于弹性元件时，会导致元件应力和应变的变化，进而引起电阻应变片电阻的变化。

电阻的变化经电路处理后的以电信号的方式输出，这就是电阻应变片传感器的工作原理。

电阻应变片应用的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。

金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。

通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，霍尔传感器ic，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。

这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小，一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路（通常是 A/D 转换和 CPU ）显示或执行机构。

半导体应变片是利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。

半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹元件上间接地感受被测外力。

利用不同构形的弹元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。

半导体应变片与电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。

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