1、*太阳电池/器件物理研究 研究了ZnTe：Cu背接触层/制备工艺对薄膜结构、性质/影响，探讨了Cu原子在薄膜中/行为。

在此基础上制备了CdTe太阳电池，进一步研究各种参数与CdTe太阳电池器件物理/关系；然后以实验测量为基础使用SCAPS软件模拟计算了CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池/器件特性，分析了各种影响电池性能/因素，为进一步提高电池转换效率提供了参考。

ZnTe：Cu多晶薄膜/XAFS结果与各种光学、电学性质表征表明：ZnTe：Cu多晶薄膜中存在着与Cu原子相关/ZnTe立方相←→六方相结构转变，并伴随着Te-Cu相/形成，Cu原子/配位数随薄膜掺铜浓度、退火温度/改变而基本不变。

Cu原子浓度不同，进入ZnTe晶格导致/晶格畸变程度不同以与Cu原子在不同温度退火后表现/不同化学价念和它对薄膜.....................共65页 2、*太阳电池与相关薄膜/电子辐照特性研究 对SnO2：F、ZnTe：Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照，研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能/影响，可明晰多晶薄膜和器件/损伤机制，这对发展新型抗辐照、稳定和低质量功率比/空间太阳电池有重要意义。

对化合物半导体多晶薄膜/电子辐照研究结果表明，SnO2：F薄膜在受到1MeV不同注量/电子辐照后，除了霍尔系数在辐照后出现增长/趋势外，载流子浓度和迁移率均减小，出现了非线性/变化趋势。

而ZnTe：Cu薄膜受到电子辐照后，迁移率与霍尔系数都明显降低，当辐照注量达到1×10<16cm<-2时，衰降97.8％，载流子浓度随着辐照注量/增大而大幅度增大。

对*多晶薄膜太阳电池进行了不同注量/1MeV电子辐照，结果表明.....................共60页 3、稀土离子注入CSS法制备/CdTe薄膜掺杂性能研究 综述了CdTe太阳能电池材料/应用前景和发展概况，并对多晶薄膜太阳电池/吸收层材料CdTe薄膜/稀土掺杂性质进行了总结和研究。

本工作首先采用实验室自制/近距离升华(CSS)系统成功/制备了均匀、致密且晶粒尺寸约为十几个微米/纯CdTe多晶薄膜。

但本征CdTe薄膜均为高阻半导体，这对于提高CdTe薄膜太阳能电池/光电转换效率是**为不利/，要提高CdTe薄膜/光电性能必须通过施主或受主/掺杂。

离子注入方法是一种新/有效/材料改性方法，我们在初步分析离子束改性材料机理/基础上。

利用这种技术实现了CdTe多晶薄膜稀土离子铒(Er)、镝(Dy)/高浓度....................共45页 4、CSS法制备CdTe薄膜/掺杂性质研究 概述了CdTe多晶太阳能电池/发展与其应用前景，并对CdTe薄膜/不同掺杂情况作了讨论研究。

本文主要部分总结了我/两方面工作：(1)采用近距离升华(CSS)方法制备自掺杂Te/CdTe薄膜，研究富Te对CdTe薄膜性质/影响，同时对样品进行了不同条件/退火处理，分析了退火对样品性质/影响；(2)采用离子注入技术对近距离升华方法制备/纯CdTe薄膜进行Cu离子/掺杂，并对其在N2气氛下退火，讨论Cu离子注入剂量与退火对薄膜性质/影响。

通过分析薄膜/结构、形貌、光吸收、光致发光等性质，我们得出如下主要结论：(1)适量掺Te改善了CdTe薄膜/结晶质量，CdTe薄.....................共54页 5、*与相关化合物多晶薄膜与*太阳电池研究 薄膜太阳电池/研究与其应用是当今光伏领域/研究热点,CdTe多晶薄膜太阳电池是受到广泛重视/薄膜电池之一,它/基本特点-多晶薄膜、化合物半导体、异质结器件-导致了一些重要/问题未能得到很好/解决.该文针对CdTe多晶薄膜电池制备中/几个重要环节:CdTe多晶薄膜/制备与后处理、背接触层制备、CdS多晶薄膜/后处理技术、器件物理做了深入研究.在此基础上制备出*率CdTe太阳电池.结合器件特性表征分析了限制CdTe太阳电池转换效率.....................共120页 6 固体区熔生长1-3微米碲*汞晶体材料/方法 7 以H2Te为碲源/II-VI族半导体CdTe*点/制备方法 8 用于不使用CdCl2大规模生产CdTeCdS薄膜太阳能电池/方法 9 水溶性核壳型CdTeCd(OH)2纳米晶粒/水相制备方法 10 CdTeCo(OH)2核壳结构磁性荧光*点/水相合成方法 11 开管式碲*汞外延材料热处理方法 12 一种用于碲*汞液相外延薄膜材料生长/带有*清除装置/石墨舟 13 带有延伸电**/碲*汞多元红外探测器 14 碲*汞红外探测器微小光敏元芯片 15 *粉末/制备方法 16 含有高可见发光效率/CdTe纳米晶透明聚合物体相材料/制备方法 17 碲*汞红外双波段探测器深台面/腐蚀设备和方法 18 CdTe单晶和CdTe多晶与其制备方法 19 利用水热技术制备高光致发光效率CdTe纳米晶/方法 20 熔体法生长/碲*汞材料中/复合缺陷*方法 21 碲*汞材料pn结结深/测量方法 22 碲*汞材料离子注入PN结产生损伤/修复方法 23 *与*纳米棒/制备方法 24 水溶性CdTe纳米晶/制备方法与其制备装置 25 CdTe纳米晶直接标记生物分子/方法 26 CdTe纳米晶偶联链霉亲和素荧光标记生物分子/方法 27 一种制备含CdTe纳米晶聚合物复合材料/简单方法 28 含有*荧光*点/二氧化硅荧光微球与其制备方法 29 *多臂纳米棒/制备方法 30 *和**点/合成方法 31 高*产率**点/控温控压微波合成方法 32 系列类碲*汞红外材料与其制备方法和用途 33 用于碲*汞外延生长/数字合金复合衬底与制备方法 34 熔体法生长/碲*汞材料N型热处理方法 35 碲*汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 36 稀磁荧光掺钴*合金*点/水相合成方法 37 碲*汞红外光电探测器微小光敏元芯片 38 温和条件下水相快速合成CdTe纳米晶/方法 39 利用超声波微波技术制备CdTe纳米荧光材料/方法 40 探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料/提纯方法与其装置 41 水溶性高荧光产率/CdTeZnSe核壳*点/制备方法 42 水溶性**点/程序控制微波制备方法 43 一种水溶性CdTeCdS 核壳型*点/微波制备方法 44 一种水溶性CdTe纳米晶聚合物表面改性/方法 45 一种单波长激发双波长发射聚合物包裹水溶性CdTe纳米晶与其制备方法 46 用于反应离子刻蚀碲*汞微台面列阵/掩膜层与制备方法 47 碲*汞焦平面器件微台面列阵/反应离子刻蚀设备与方法 48 微台面列阵碲*汞红外双波段焦平面探测器芯片 49 碲化汞、*和锑化铟共晶结构化合物与其单晶材料和薄膜材料 50 掺锑、*新型碲*汞改性化合物与其单晶与薄膜材料 51 含半胱氨酸多肽辅助合成高发光**点/方法 52 带有井伸电**/碲*汞红外光电导探测器 53 一种水溶性CdTeCdS核壳型*点/制备方法 54 光伏型红外探测器碲*汞材料离子注入剂量优化方法 55 在图形化硅上制作*汞 56 **点/制备方法 57 碲*汞薄膜材料表面氧化膜层/处理工艺 58 一种微波辅助水溶性聚合物包裹CdTe纳米晶/方法 59 甚长波碲*汞红外焦平面探测器/抗反膜与制备方法 60 一种硅壳型CdTe*点/直接制备方法 61 *单晶/低温溶剂热生长方法 62 一种制备碲*汞红外材料/新方法 63 置于碲*汞红外焦平面探测器芯片内部/微型滤光片 64 表面修饰/包含有*二氧化硅纳米粒与其制备方法 65 长波碲*汞光伏器件物理参数/检测方法 66 一种可靠预测碲*汞光电响应截止波长/非接触实验方法 67 被动式饱和箝位输出光强连续可调/碲*汞光限幅器 68 可释放热失配应力/硅基碲*汞凝视红外焦平面器件芯片 69 CdS、CdSe或CdTe空心纳米环与其制法 70 一种CdTe纳米空心球或CdTe纳米管/制备方法 71 *薄膜太阳能电池腐蚀液与腐蚀方法 72 CdTe*点/制备方法 73 水溶性CdTe*点/水热制备方法 74 硅基碲*汞器件/伸缩网络结构芯片 75 硅基衬底碲*汞液相外延/生长方法与*石墨舟 76 防非红外辐射入射面响应/碲*汞红外探测器芯片 77 *材料表面氧化膜层/处理工艺 78 聚电解质CdTe纳米复合薄膜/制备方法 79 一种CdTeCdSZnS 核壳壳结构*点/制备方法 80 用于改善碲*汞液相外延薄膜表面形貌/石墨舟 81 用共振散射光谱测定CdTe*点粒径/方法 82 */回收装置与其回收方法 83 一种高纯*/制备方法 84 一种用于太阳能电池/*薄膜与其制备方法 85 合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料/方法与其合成系统 86 一种合成超小尺寸CdSe和CdTe纳米晶/方法 87 核壳型*硫化*水溶性*点/合成方法 88 可溶于水与有机溶剂/CdTe纳米颗粒/制备方法 89 环糊精修饰/CdTe*点/水相制备方法 90 近红外荧光CdTeCdSe核壳*点/水相层层组装制备方法 91 平面型碲*汞光伏器件离子注入损伤层/*方法 92 一种检测碲*汞薄膜光伏器件有害界面电荷/方法 93 碲锌*和*x和γ射线探测器/能量补偿层 94 一种降低碲*汞光伏器件离子注入损伤影响/方法 95 水溶性长链巯基类化合物包覆/**点合成方法 96 碲*汞长波光导型红外面阵探测器与多层电**/制备方法 97 激光加工在P型碲*汞材料上形成PN结/方法与装置 98 一种高纯*/制备方法 99 一种柔性*薄膜太阳电池结构 100 双层石墨导电膏作为CdTe电池/背电**过渡层结构 101 CdTe薄膜/表面腐蚀与用此法制备CdTe太阳电池 102 Ⅱ型CdTeCdS核壳*点/制备方法 103 一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdTe纳米棒/方法 104 水中*/CdTe*点荧光测定法 105 用于液相外延方法生长碲*汞材料/衬底材料与制备方法 106 碲*汞*合成装置 107 一种碲*汞阳**氧化装置 108 具有过渡层/*太阳电池 109 多通道碲*汞红外探测器 110 碲*汞材料组分分布显示方法和装置 111 空穴导电碲*汞外延材料热处理工艺与装置 112 一种碲*汞晶体热处理装置 113 开管汞自封碲*汞材料热处理装置 114 碲*汞材料高温热处理方法 115 碲*汞分子束外延材料真空热处理方法 116、Br2-*蚀刻对CdTe太阳电池性能/影响 117、CdS／CdTe太阳电池中CdS多晶薄膜/结构和光学性能 118、CdS／CdTe异质结太阳电池**限效率/计算 119、CdTe／CdS太阳能电池材料/研究进展 120、CdTe半导体中弱耦合表面磁**化子/有效质量 121、CdTe薄膜/红外光学特性研究 122、CdTe薄膜/微观结构分析 123、CdTe薄膜/制备方法比较与其结构性能研究 124、CdTe薄膜/制备和后处理研究 125、CdTe薄膜太阳电池 126、CdTe薄膜太阳电池/*-*腐蚀与应用 127、CdTe多晶薄膜太阳电池/结构改进 128、CdTe多晶薄膜制备与后处理对CdS／CdTe界面/影响 129、CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性/研究 130、CdTe太阳能电池/制备与电子辐照对电池影响/研究 131、CdTe太阳能电池研究进展 132、CuxTe薄膜/结构与其对CdTe太阳电池性能/影响 133、MOVPE法生长HgCdTe／CdZnTe结构薄膜研究 134、ZnTe插层对CdS／CdTe光伏器件性能/影响 135、半导体CdTe薄膜电化学沉积研究 136、半导体CdTe纳米晶/合成与其光学性能 137、薄膜太阳电池/*进展 138、不同衬底上纳米晶CdTe薄膜/低温制备与光性能研究 139、不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质/影响 140、大面积CdTe多晶薄膜/制备与其性能 141、大直径HgCdTe晶体/结构缺陷分析 142、大直径HgCdTe晶体生长研究 143、碲*汞纳米材料与器件/LBIC检测技术 144、*薄膜太阳能电池与其溅射制备 145、*电光调制器性能研究 146、*晶体/制备与其显微特性研究 147、*纳米线/制备和生长机理分析 148、*新型β—射线探测器/研制 149、碲化物玻璃在光纤光学中/应用与研究进展 150、碲化物薄膜/附着牢固度与其显微结构/关系 151、电化学方法在金属碲化物合成中/应用 152、反应型表面活性剂包覆CdTe纳米晶 153、非晶态碲*汞薄膜/射频磁控溅射生长与其晶化过程研究 154、复合背接触层与背电**/匹配对CdTe太阳电池性能/影响 155、高质量HgCdTe薄膜/液相外延生长 156、过渡金属三组元碲化物研究 157、化合物半导体光伏电池研究进展 158、激光刻划制备集成*薄膜太阳电池/研究 159、金属碲化物[Ga（en）3]In3Te7晶体结构和性质/研究 160、近距离升华制备CdTe掺Te薄膜/结构与电性能研究 161、近空间升华法制备CdTe薄膜 162、静电自组装制备CdTe*点纳米薄膜 163、具有复合背接触层/CdTe多晶薄膜太阳电池 164、密堆积升华制备*多晶薄膜 165、巯基*稳定/水溶性CdTe纳米粒子/合成与表征 166、*修饰/CdTe*点对聚合酶链反应特异性/影响 167、热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能/影响 168、三元多碲化物纳米晶/新方法制备与表征 169、升温过程和气压在近空间升华沉积CdTe多晶薄膜中/作用 170、水热法合成巯基*稳定/CdTe*点 171、水热法合成水溶性CdTe*点与其光谱表征 172、水热法制备稳定/发光CdTe材料 173、水相中CdTe纳米晶/制备与其光学性质 174、水相中合成CdTe半导体*点 175、太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备与其性能 176、硝*腐蚀/CdTe太阳电池性能 177、新型大面阵碲*汞探测器In柱生长工艺研究 178、一种用于制冷/新型太阳能电池——CdS／CdTe 179、应变层超晶格（CdTe）n／（ZnTe）m/带偏移与亚带结构 180、用大面积CdTe多晶薄膜制备太阳电池 181、用涂碳石英管生长碲化物晶体/工艺分析 182、用于微生物体标记/CdTe半导体纳米晶超声波水相合成 183、在Hg1—xCdxTe上生长/阳**化碲化物薄膜与其XPS特性 184、真空气相沉积*薄膜特性研究 185、真空蒸发法制备CdTe薄膜/光电特性 186、真空蒸发蹄化物薄膜光电性能/研究 187、脂质体包裹/CdTe复合*点/合成 188、制备CdTe多晶薄膜升温过程/研究 189、中小尺寸CdS和CdTe团簇结构与电子性质/*性原理研究 190、自掺杂Te生长CdTe薄膜/结构与其光学性质研究     现已开通**800多个城市免费快递 货到付款服务   中国企业技术网 客服电话：*********  ********* 值班手机：1891055**** 官方网站：*** *** 标签：     北京市含制作方法   北京市含制作方法厂家
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