干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂 技术: • 平行板系统• 冷却的基板电**• 13.56兆赫兹等离子体激励 结果: • 速率：大约3纳米/分钟• 对钛掩模的选择比大约20：1• 光滑的底部 （本速率可以通过增加转移到铌酸锂上的掩模面而提高） 标签：     北京市扰器法刻蚀   北京市扰器法刻蚀厂家
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