科研实验*氧化铪靶材HfO2氮化钽靶材TaN电子束镀膜蒸发料 产品介绍        氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g/cm，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪；用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起**度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅**绝缘层二氧化硅(SiO)，以解决目前MOSFET中传统SiO/Si结构的发展的尺寸**限问题。

产品参数 中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃ 分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3 纯度 99.99% 产品介绍       氮化钽（TaN）为黑色六方结晶或黄绿色结，不溶于水、酸，加热至2000℃即释放出氮气。

用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀；用作超硬质材料添加剂，用于喷涂，增加变压器、集成线路、二**管的电稳定性。

产品参数 中文名 氮化钽           化学式 TaN      分子量 194.95          熔点 3090°C 密度 13.4g/cm3       纯度99.99% 支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！  服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。

科研单位货到付款，*，售后无忧！ 产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装 适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备  质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。

  加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库 标签： 氧化铪靶 氮化钽靶 磁控溅射   氧化铪靶材 氮化钽靶材 磁控溅射靶材   北京市钽靶材   北京市钽靶材厂家
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