铟（In） Indium 1， 物理性质： 原子量：114.818 电负性：1.78 密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃） 熔点：156.5985 ℃ 沸点：2072 ℃ 2，规格： 化学纯度： 高纯铟：In-05 纯度99.999%以上，银，铝，*，*，铜，铁，镁，镍，铅，硫，硅，锡，*，锌杂质总含量小于10ppm； 超纯铟：In-06 纯度99.9999%以上，*，铜，铁，镁，铅，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm； 超高纯铟：In-07 纯度99.99999%以上，银，*，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm； 3，物理性状：棒，锭，片，粒，丸。

4，用途： 主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基**以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。

5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。

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