订购信息 型号 OH12AF 工作温度 -40~120℃ 封装 SOT143 包装 3000只/盘 概述 锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用 检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关) 检测磁场(如无接触电流传感器等) **限参数 (Ta=25℃) 参数 符号 量值 单位 输入电流 Imax 20 (at 25℃) mA 功耗 Pmax 150 (at 25℃) mW 工作温度范围 Top -40 ~+120 ℃ 储藏温度范围 Tst -40 ~+150 ℃ 电参数 (Ta=25℃) 参数 符号 检测条件 **小值 *值 单位 霍尔输出电压 VH Vin=1V, B=500G(恒压) 266 320 mV 输入电阻 Rin I=0.1mA 240 550 Ω 输出电阻 Rout I=0.1mA 240 550 Ω 不等位电压 Vo Vin=1V, B=0G -7 +7 mV 输出电压的温度系数 αVH Ta=0~40℃ AVG. - -1.8 % /℃ 输入输出电阻的温度系数 αRi Ta=0~40℃ AVG. - -1.8 % /℃ ※ 霍尔输出电压VH为实测值减区VO值,即VH=VHM-VO, (VHM : 在500GS下测得的输出电压值) 标签: 南京市锑化铟霍尔元件 南京市锑化铟霍尔元件厂家
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